Η Samsung λαμβάνει την πρώτη, παγκοσμίως, διάκριση για την περιβαλλοντική βιωσιμότητα των ημιαγωγών της

Η μνήμη 512GB eUFS 3.0 πιστοποιείται για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον διεθνώς αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust
Samsung carbon trust

Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος τεχνολογικός ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε πως η μνήμη Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 512-gigabyte (GB) πιστοποιήθηκε για το αποτύπωμα άνθρακα και το αποτύπωμα νερού από τον αναγνωρισμένο οργανισμό Carbon Trust. Η 512GB eUFS 3.0 της Samsung είναι η πρώτη μνήμη smartphones στη βιομηχανία που αναγνωρίζεται από έναν διεθνή οργανισμό πιστοποιήσεων, το οποίο επιτεύχθηκε χάρη στη εντατική προσπάθεια της εταιρείας για τη μείωση των αποτυπωμάτων άνθρακα και νερού.

Ο διεθνώς αναγνωρισμένος μη κερδοσκοπικός οργανισμός Carbon Trust, ιδρύθηκε από τη βρετανική κυβέρνηση με σκοπό να επιταχύνει τη μετάβαση προς μια βιώσιμη, με χαμηλό αντίκτυπο άνθρακα, βιομηχανία. Κάθε πιστοποίηση από τον Carbon Trust θεσπίστηκε μετά από ενδελεχή αξιολόγηση του περιβαλλοντικού αντίκτυπου των εκπομπών άνθρακα και της χρήσης νερού πριν αλλά και καθ’ όλη τη διάρκεια του κύκλου παραγωγής, κατά τα διεθνή πρότυπα*.

«Είμαστε ιδιαίτερα ικανοποιημένοι που οι καινοτόμες τεχνολογίες μνήμης μας αναδεικνύουν την ικανότητά μας να ξεπερνάμε πιο σύνθετες προκλήσεις σε επίπεδο διαδικασιών, και αναγνωρίζονται για την περιβαλλοντική βιωσιμότητά τους» δήλωσε ο Chanhoon Park, Executive Vice President και Head του Giheung Hwaseong Pyeongtaek Complex στη Samsung Electronics. «Η Samsung θα συνεχίσει να δημιουργεί λύσεις μνήμης που παρέχουν τα υψηλότερα επίπεδα ταχύτητας, χωρητικότητας και εξοικονόμησης ενέργειας σε ιδιαιτέρως μικρή κλίμακα μεγεθών για τους τελικούς χρήστες σε όλο τον κόσμο».

Οι καινοτομίες ημιαγωγών της Samsung για βιώσιμη παραγωγή

Βασισμένη στην μνήμη πέμπτης γενιάς (90+ επιπέδων) V-NAND, η 512GB eUFS 3.0 παρέχει βέλτιστη ταχύτητα, εξοικονόμηση ενέργειας και παραγωγικότητα προσφέροντας τη διπλάσια χωρητικότητα και κατά 2,1 φορές μεγαλύτερη διαδοχική ταχύτητα σε σύγκριση με την μνήμη τέταρτης γενιάς (64 επιπέδων) V-NAND-based 256GB eUFS 2,1. Ταυτόχρονα, απαιτεί μειωμένη λειτουργική τάση κατά 30 τοις εκατό. Επιπρόσθετα, η πέμπτης γενιάς V-NAND αξιοποιεί μια μοναδική τεχνολογία χάραξης μετάλλου που διαπερνά περισσότερα από 90 επίπεδα κελιών με ένα μόνο ακριβές βήμα. Κάτι τέτοιο επιτρέπει στο chip να έχει σχεδόν 1,5 φορές περισσότερα στοιχισμένα επίπεδα από ότι η προηγούμενη γενιά, επιτυγχάνοντας μείωση του μεγέθους του κατά 25 τοις εκατό. Τέτοιου είδους καινοτομίες βοηθούν στην ελαχιστοποίηση της συνολικής αύξησης των αποτυπωμάτων του άνθρακα και του νερού για κάθε επίπεδο κελιού V-NAND.

Επίσης, η Samsung απέκτησε σήμανση περιβαλλοντικής δήλωσης προϊόντος (EPD) για την μνήμη ‘1-terabyte (TB) eUFS 2,1 και την πέμπτης γενιάς 512-gigabit (Gb) V-NAND από το Υπουργείο Περιβάλλοντος της Κορέας.

Η Samsung σχεδιάζει να επεκτείνει ενεργά την υιοθέτηση των προαναφερθέντων τύπων μνήμης υψηλών επιπέδων βιωσιμότητας, χωρητικότητας, και ποιότητας για πολλές περισσότερες ναυαρχίδες συσκευών smartphones και να ενισχύσει περαιτέρω τις διεθνείς συνεργασίες της για τις τεχνολογίες μνήμης επόμενης γενιάς. 

* PAS 2050 για το αποτύπωμα άνθρακα και ISO 14046 για το αποτύπωμα νερού

Samsung 512GB eUFS 3.0 περιβαλλοντικό αποτύπωμα (Carbon Trust)

Αποτύπωμα Άνθρακα Αποτύπωμα Νερού
13.4 kg CO2 0.31 m3 H2O

 * 13.4 kg CO2 συγκρίνεται με την ποσότητα η οποία απορροφάται από δύο πευκόδεντρα 3 ετών μέσα σε ένα έτος   

Οι λύσεις ημιαγωγών Samsung semiconductor solutions με περιβαλλοντικές διευκρινίσεις

Year

Product

Certification

Accreditation Body

2009 64Gb DDR3 (56nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2010 2Gb DDR3 (46nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2010 16Gb NAND (42nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 4Gb DDR3 (28nm) Χαμηλός Άνθρακας Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 2Gb DDR3 (35nm) Χαμηλός Άνθρακας Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 64Gb NAND (27nm) Low Carbon Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 2Gb LPDDR2 (46nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 4Gb LPDDR2 (35nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 2Gb GDDR5 (35nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2012 8-megapixel CIS (90nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2013 4Gb LPDDR3 (35nm) Αποτύπωμα Άνθρακα Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2013 Exynos 5410 (28nm) Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2013 4Gb GDDR5 (28nm) Χαμηλός Άνθρακας (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2013 13-megapixel CIS (65nm) Χαμηλός Άνθρακας (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2014 64Gb NAND (21nm) Χαμηλός Άνθρακας Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2014 4Gb LPDDR3 (25nm) Χαμηλός Άνθρακας Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2015 4Gb DDR4 (25nm) Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2016 4Gb LPDDR4 (20nm-class) Αποτύπωμα Άνθρακα (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2016 64Gb NAND (10nm-class) Χαμηλός Άνθρακας Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2017 SSD 850 EVO (250GB) Περιβαλλοντική Δήλωση Προϊόντος (EPD; Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2017 SSD 850 EVO (250GB) Αποτύπωμα Νερού (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2017 64Gb NAND (10nm-class) EPD Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2018 SSD 860 EVO (4TB) EPD Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2018 V4 NAND 512GB EPD Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2018 16Gb LPDDR4 EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2018 16Gb LPDDR4X EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2019 V5 NAND 512Gb TLC EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2019 1TB eUFS 2.1 EPD (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Υπουργείο Περιβάλλοντος Κορέας
2019 512GB eUFS 3.0 Αποτύπωμα Άνθρακα, Αποτύπωμα Νερού, (Πρωτιά στη Βιομηχανία) Carbon Trust
Αφήστε μια απάντηση

Δωρεάν newsletter

Γίνε συνδρομητής στο newsletter μας και κέρδισε πλούσια δώρα στους διαγωνισμούς μας!